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又一家助攻Micro LED!晶呈湿式蚀刻LED基板:可使芯片切割道线宽低于10μm

2019-10-22

瞄准Micro LED商机,半导体材料制造商晶呈科技,昨(17)日发表可湿式蚀刻LED CMW铜磁基板,可将外延切割线宽降低,已获得Micro LED系统商导入产品与应用,规划12月就有搭载晶呈科技铜磁芯片的Micro LED面板问世。

  *开发的铜磁基板,委由交通大学电子系系主任洪瑞华教授做产品制程认证与开发并申请国科会科技部专案计划,目前已经取得台湾发明专利,并陆续取得中国大陆、美国、日本、印度的专利,在能够大幅提升LED外延厂的获利目标,已经取得外延厂的订单,规划于2020年导入量产,月产能可达10万片。

  


  以湿式蚀刻的方式,*小线宽可以低于10μm,因此大大的增加了每片外延片可生产出的芯片数量。

  目前在LED市场上,在芯片切割时,*常使用的是激光隐形切割、钻石刀轮切割以及一般激光切割,以上述三种切割方式来说,都需要50μm-100μm切割道线宽,有些较老旧设备,甚至要把切割道开到150μm,然而切割道越宽,代表着单位可产出的芯片数量就会变少,因此,如何将切割道变小,一直是LED外延厂的重要课题之一。若可以将切割道缩至20μm-30μm可大幅度的增加Gross chip的产出。

  以台湾外延厂为例,钻石刀轮切割机在台湾有数百台之谱,目前宽度*窄的钻石刀轮可以到50μm,但加上对位精度等影响,切割道必须到100μm的宽度,在目前芯片微小化的趋势之下,钻石刀轮切割势必增加并影响制造商的成本,而晶呈科技所开发出的金属基板,则可为切割道细线化打开了一盏明灯。

  晶呈科技开发出的CMW铜磁基版,以切割道细线化为目标的引导之下,经数年的努力之后,开发出了可用湿式蚀刻的方式,做wafer dicing,*小线宽可以低于10μm,因此大大的增加了每片外延片可生产出的芯片数量。再者,目前不管用各种的切割的方式,都是以单片式去处理,而湿式蚀刻可以处理50-100pc,这样大幅减少了外延厂的设备投资与人力配置,亦可以为LED厂杀出一条血路。

  举例来说,原本一片4吋的LED外延片可产出的芯片数量为1万颗/pc,若是改成湿式切割,可以增加到2万颗/pc,以LED以芯片卖钱的年代,用湿式蚀刻,可增加外延厂两倍的营收。

  晶呈科技所生产制造的CMW铜磁基板提供厚度0.1mm、0.05mm、 0.03mm,目前已经通过客户认证可,每个波段(包含UVC)皆可以生产,铜磁基板不需要研磨,不需要做激光切割,可以大幅降低成本与提升良率。

  此外,除了可湿式蚀刻的特性外,在一般LED的结构上,散热亦是LED外延厂重要的课题,晶呈科技所生产制造的铜磁基板,散热200W/mk,超高的导热系数亦是目前市场上数一数二的基板之一,在高散热的同时,跟LED外延层相匹配的热膨胀系数,大幅提升金属基板的生产良率。

  以目前全球有超过4000台的MOVCD的产能来看,基板的产值有机会超过33亿美元/年。

  晶呈营运协理暨发言人张永宏表示,9月营收较去年呈现小幅增长。并指出,CMW铜磁基板拥多项技术优势,毛利率上看四成以上,近期已小量出货给下游厂商进行测试,法人预计12月就会有搭载晶呈产品的面板问世,并于明年下半年放量,有望挹注业绩表現。

  晶呈科技认为,在Micro LED技术与应用越来越明确的催生之下,晶呈科技的铜磁基板目标市场有超过100万片/月的潜在市场,可为晶呈科技带庞大的获利,亦可以让台湾的外延厂有新技术去面对产业竞争。举例来说,目前广为应用在IR Sensor的LED芯片,*薄在100um-120um,而搭载晶呈科技铜磁芯片,可以经由特殊制程,制作出20um的超薄IR芯片;在目前越来越轻薄的手机市场上是一项革命性的产品,目前在台湾的大厂都在积极测试中,预期能够在LED红海的市场中开拓出一条蓝海之路。



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