去年，佳能推出了首款纳米压印光刻（NIL）设备，与ASML的极紫外（EUV）和先进的深紫外（DUV）光刻设备竞争激烈。

据《金融时报》报道，佳能宣布首批客户预计在今年或明年收到第一台NIL机器，用于调试。新设备的工作原理是在晶圆上冲压特征，而非使用常见的蚀刻光刻技术，据说比行业领导者ASML的EUV设备功耗低90%。

佳能光学产品业务主管Hiroaki Takeishi告诉《金融时报》，佳能计划在2024年和2025年开始发货这些设备。他指出，这项专有技术可以以简单、低成本的方式制造尖端芯片。

纳米压印光刻技术已有15年开发历史，通过将芯片设计直接压印到硅晶圆上，提供了一种新的芯片制造方法。这种方法与传统的DUV和EUV光刻技术形成鲜明对比，有望显著节省成本和提高能源效率。

佳能甚至声称其NIL工具的功耗比ASML的EUV工具低90%。NIL目前可用于使用5纳米级工艺技术制造芯片，但最终可能发展到2纳米级节点。

佳能表示，其纳米压印光刻设备的战略是与现有设备共存，而非替代DUV或EUV设备。报道称，如果不用于逻辑芯片，NIL还可用于制造3D NAND。

佳能推出纳米压印光刻技术迎合了当前光刻系统需求的旺盛。此外，NIL可以提供更便宜的工具并实现更便宜的芯片制造。

然而，NIL与DUV和EUV都不兼容，这使得其插入当前设计流程变得复杂。目前尚不清楚是否能够开发出仅依赖纳米压印光刻的制造工艺。因此，佳能纳米压印光刻技术的成功并不能保证，一些行业分析师对此表示怀疑。

总体而言，研究公司Radio Free Mobile总裁理查德·温莎在接受《金融时报》采访时表示：“如果纳米压印技术是一项好技术，我认为它现在就会大量投入运行。”